0102030405
Дэйтэрыраваны дыбаран высокай чысціні (B2D6)
Навошта вагацца? Запытайце нас зараз!
Звяжыцеся з наміТэхнічныя характарыстыкі
| Хімічная чысціня % | ≥99,8 |
| Ізатопная чысціня (100D/(D+H)) | ≥98 |
Тэхнічная інфармацыя
| Стан цыліндру @ 21,1°C | газ |
| Межы гаручасці ў паветры | 0,8%-98% |
| Тэмпература самазапальвання (°C) | 40-50 |
| Малекулярная маса (г/моль) | 45,79 |
| Крытычная тэмпература (°C) | |
| Крытычны ціск (псіг) |
апісанне прадукту
Выкарыстоўваецца галоўным чынам у якасці крыніцы для плазменнага CVD гетерирующих пакрыццяўнаносіцца на ўнутраныя паверхні рэактараў Токомак. Таксама выкарыстоўваецца ў якасці замены диборана пры адкладзе
тэхналогіі, для якіх больш высокая хімічная стабільнасць дэйтэрыраванага дыборану з'яўляецца значнай перавагай.
апісанне2