0102030405
Високочистий дейтерований герман (GeD4)
Навіщо вагатися? Зверніться до нас зараз!
Зв'яжіться з намиТехнічні характеристики
| Хімічна чистота % | ≥99,8 |
| Ізотопна чистота (100D/(D+H)) | ≥98 |
Технічна інформація
| Стан циліндра при 21,1°C | газ |
| Межі займистості в повітрі | LFL = невідомо, UFL = 100% |
| Температура самозаймання (°C) | 85 |
| Молекулярна маса (г/моль) | 80,67 |
| Критична температура (°C) | 35 |
| Критичний тиск (psg) |
Додатки
Використовується для CVD шарів, що містять Ge, в яких заміна зв'язків Ge-H на зв'язки Ge-D забезпечує підвищену стабільність і менший вміст дефектів.
опис2